8月28日举行的PCIM Asia 2024展上，，，圣一欣科技所属子公司SwissSEM正式发布1200V/13mΩ SiC MOSFET芯片
，，，并由芯片专家做现场报告《高温导通电阻行业领先的1.2kV SiC MOSFET，，适用于电动汽车紧凑型逆变器》。。。。

圣一欣科技SiC MOSFET芯片

碳化硅（SiC）具有高击穿电场
、、、
、高饱和电子速度、、高热导率
、、
、高电子密度和高迁移率等特点，
，
，是良好的半导体材料，，，，广泛应用于新能源汽车、
、光伏逆变、、、电力储能、
、服务器电源
、、工业电源变频、
、、、智能电网、、、轨道交通等各个领域。。尤其在新能源汽车领域，
，，，碳化硅（SiC）功率器件有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、、高效化，，在新能源车的主驱逆变器等关键电控部件中将发挥更重要的作用。。
。随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，，，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。。。。

本次发布的圣一欣科技SiC MOSFET芯片，，，采用多项行业领先的特色设计和工艺，，包括：

-- 芯片边沿至金属层仅为约100微米；      -- 元胞间距降低至最小5.0微米；

-- 获得最佳性能的短沟道设计；               -- 元胞间的电流扩散注入；

-- 栅极金属布局连续环绕在芯片周围；     -- 有源区内多晶硅栅极浇道；

-- 连续的铝铜源极焊盘。。。。

源于出色的设计和工艺，，
，我们的SiC MOSFET芯片在高温工作条件下，，，，展现出了极佳的静态和动态特性
，
，并且达到了行业一流水平的1200V/13mΩ。。。

此外，，，，采用此SiC MOSFET芯片，
，圣一欣科技还推出了多个型号的车规级、、高性能HEEV封装、、、EVD封装SiC模块。。HEEV封装、、、、EVD封装SiC模块采用行业领先的设计和封装工艺，，具有非常出色的散热性能，，以及极佳的可靠性、、、鲁棒性，，，
，并可以覆盖100KW至300KW 主流电动汽车应用需求，，特别是电动汽车紧凑型逆变器。。
。

同期展出的圣一欣i20 IGBT芯片、、ED封装IGBT模块、、、ST封装IGBT模块、、、
、BEVD封装IGBT模块、
、、、EP封装IGBT模块，
，以及HEEV封装SiC模块、、、、EVD封装SiC模块产品，，，受到了与会者的高度关注和热烈反响，，吸引众多与会者、、现场嘉宾的热烈关注和深入交流。
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澎湃“芯”动力，，，赋能“芯”未来，，，，在全球巨头林立的PCIM Asia 2024
，，
，圣一欣自主研发IGBT
、
、
、、SiC芯片及模块等众多产品，，，
，凭借国际一流的技术水平和卓越的性能表现，，，，赢得国内外业内专家和客户的一致认可和高度赞誉
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