4月13日，，
，第十七届中国高校电力电子与电力传动学术年会（SPEED 2024）在安徽宣城举办。。。。SPEED 2024由合肥工业大学电气与自动化工程学院承办，，作为国内高等院校电力电子与电力传动学科最重要的学术论坛之一，
，吸引了近千名业界著名专家学者
、、、、高校师生，，，，以及业内知名企业的积极参与。。。作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业，，圣一欣亚太半导体科技（浙江）有限公司（以下简称：圣一欣半导体）受邀参会。。
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展览中，，，圣一欣半导体自主研发IGBT、、、、SiC芯片及模块引发众多专家学者、、高校师生热烈关注和深入交流，，，并受到了与会技术专家和客户的高度关注和热烈反响。
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圣一欣i20系列IGBT芯片组（1200V、、1700V）1700V是IGBT的主流电压等级之一，，广泛应用于风力发电、
、、、无功补偿（SVG）、、、智能电网，，以及中高压变频器等领域
。。。。圣一欣i20系列1700V IGBT芯片组，，，，基于经典的沟槽栅及场截止芯片结构，，并采用了窄台面、
、、、优化N-型增强层、、
、、短沟道
、、
、3D结构、
、
、、优化P+层等多项行业前沿理念的优化设计，
，，具有大功率、
、、低损耗、、高可靠性等卓越的芯片性能，，，代表了国内同类芯片技术的最高水平
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 圣一欣ST封装IGBT模块（1200V、、
、1700V）ST封装IGBT模块采用行业标准外形设计（62mm），，具有极佳的通用性
，，
，是工业级IGBT模块中的主流型号之一
。。。。特别是在光伏发电、
、、、低压变频器、、UPS电源、、电机驱动、、数控机床等领域，，ST封装IGBT模块具有广泛的市场需求。。。作为圣一欣打造精品国产IGBT模块战略的最新成果。。。
。ST封装IGBT模块采用优化布局、、三维信号传输等创新设计（已申请专利）实现了出色的模块性能
：同类产品中最低的内部热阻、、连接阻抗
、
、、、内部杂散电感等。。。

圣一欣HEEV封装SiC模块（1200V）HEEV封装SiC模块为电动汽车应用量身定做
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，导通阻抗低至2.0mΩ（@25℃），，，，可用于高达250kW电驱系统，，并满足电动汽车驱动系统对高功率、、、小型化和高可靠性功率的需求。
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圣一欣EVD封装SiC模块（1200V）EVD封装SiC模块采用乘用车领域普遍采用的全桥封装。
。通过内部优化设计，，，具有出色的性能表现
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。与业界头部企业相同规格封装模块对比，，，，圣一欣EVD封装SiC模块的导通电阻低10%至30%，，，，连接阻抗低33%，，开关损耗相近或者更低（相同开关速度）。。。

不仅如此，，，圣一欣半导体首款引以为傲IGBT产品-ED封装IGBT模块
，，，以及EV封装IGBT模块，，
，，同样引发了广泛关注。。。充分体现了圣一欣在电驱动领域的强大技术实力。
。。。作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业，，圣一欣始终坚持“以科技创新，，推动绿色能源发展”为使命，，，站在行业的前沿不断探索、、、、创新
。。凭借多年出色的实用业绩和领先的市场地位，，，，赢得了中国电力电子技术创新研发和国产化先锋的赞誉。。