9月28日上午10时，
，圣一欣电力电子集团有限公司（以下简称“圣一欣集团”）及子公司瑞士SwissSEM Technology AG （以下简称“SwissSEM”）召开自主技术IGBT首发产品发布会
。。。。

圣一欣“i20” IGBT芯片技术的首款产品1200V/200A 芯片 和 圣一欣ED-Type IGBT模块技术的首款产品1200V/600A 模块，
，，，正式发布！
！！

自2019年3月，，，，圣一欣集团宣布启动IGBT项目，，，
，致力于打造具有国际水平的自主技术IGBT芯片和模块产品至今，，，短短的1年零6个月时间里。。圣一欣不仅组建技术团队并设立了全面负责IGBT业务的SwissSEM公司，，，
，还高效的完成了技术路线论证、、、供应链体系建立、
、生产基地动工等一系列工作。。。

今天，，，梦想走进现实，，
，，终于迎来了圣一欣IGBT首发产品的正式揭幕。。。
。全体圣一欣人激动万分，，，，各界伙伴也纷纷送上了祝贺与祝福
。。。

领先而独到的设计，，
，，带来出色的测试表现

在发布会中，
，，，SwissSEM公司CEO – Roland先生，
，
，首先向大家致意并介绍了技术研发团队和项目概况。
。

此后，，
，，SwissSEM公司CTO -Arnost先生，
，详细介绍了IGBT芯片技术的研发规划、、
、、设计思路、、技术特点和测试表现。。。

圣一欣首款IGBT芯片产品i20芯片，，
，，采用精细沟槽、
、窄台面、、、、优化N型增强层、、短沟道、、3D结构
、
、、
、优化P+、、、、优化的激光退火缓冲区和阳极，，以及超薄的N-基底等一系列行业前沿设计，，带来了卓越的性能表现。。。。

Arnost先生还郑重承诺，，
，，一定会将SwissSEM打造成高性能
、
、
、高品质IGBT器件的代名词。。

SwissSEM公司COO – Sven先生，，，重点为大家介绍了首款模块产品 ED-Type模块。。

该模块特别采用了可以提高均流性能近2倍的直线布局，，极大的改善了可靠性和稳定性。。

此外，，
，，源于严格的供应商筛选和管理体系，，以及最出色的制造工艺，，，，使ED-Type模块样品在测试中，，，经过3倍于设计寿命后，，，六个样品中也仅有一个出现了失效。。。
。这样优异表现的大大超出了预期。。。

最后
，，，
，Roland先生为大家展示了SwissSEM公司的发展蓝图。。。。

不仅由SwissSEM独家研发并已在申请专利的ST-Type模块，，让大家眼前一亮。。另一方面，，
，针对电动汽车领域的第7代微沟槽技术i21芯片，，使用新材料SiC的M2x芯片，，
，以及具有独到技术的EV-Type模块，，
，也让人感受到了SwissSEM对于电动汽车领域的高度重视和出色技术。。。

不忘初心，
，砥砺前行

自圣一欣集团董事长项颉先生
，，，怀揣着技术强国的梦想回国创立圣一欣集团至今
，，，，已经过去了将近20年。。今天，，，在祖国生日的前夕，，
，，我们迎来了首个IGBT研发成果
，，，令人激动
，
，，令人振奋。。。

然而
，，，，作为一项难度极高的硬科技，，
，IGBT研发的后续工作和产业化依然要秉承着“务实
、、、、认真”的科技工匠精神，
，一步一个脚印的走稳、
、、走好。。。。这样才能拿出品质过硬，，性能领先的一流产品。
。。
。在本次发布会后，，，，圣一欣将立即对首发样品开始进一步的测试和验证
，，，在2020年底前量产，，并送给客户开始应用验证。
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