10月13日，，“圣一欣亚太新建年产IGBT功率器件200万件项目”一期封顶仪式隆重举行，，
，圣一欣电力电子集团有限公司（以下简称
：圣一欣集团）旗下子公司圣一欣亚太半导体科技（浙江）有限公司（以下简称：圣一欣半导体）总经理张强出席仪式并宣布封顶
。。。圣一欣IGBT项目业主代表唐宝成，
，，监理单位浙江富力建设管理有限公司总监刘如新，，，
，施工单位中国电子系统工程第二建设有限公司高级副总经理惠文荣，，，，中国电子系统工程第二建设有限公司一分公司总经理杨超，，中国电子系统工程第二建设有限公司建筑总承包一分公司总经理李洪伟等多位领导出席了封顶仪式
。
。各参建单位代表等百余人参加了封顶仪式。。。。

上午10时20分，，封顶仪式正式开始
。。。圣一欣半导体总经理张强代表项目使用方致辞，
，他首先对项目的成功封顶表示祝贺，，，向为圣一欣亚太半导体功率器件项目付出辛勤努力的各参建方表示衷心感谢，，，，向日夜奋斗在建设工地的全体人员致以诚挚的问候。。。最后，，
，他要求各参建方通力合作，，
，，确保项目保质保量、、
、、按期完工，，并对项目的早日竣工充满期待
。
。。。随后，，参加仪式的各级领导共同为项目封顶浇筑最后一份混凝土，，，封顶仪式圆满结束。
。。 

该项目一期占地34亩
，，，
，总建筑面积为24312.83平方米，，，，其中主厂房建筑面积23668.7平方米，，，，层高14.7米。。
。。规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线
、、、、5条IGBT模块封装测试生产线，，，建成后年产能达200万件高品质IGBT模块产品。。

圣一欣半导体作为圣一欣集团旗下负责IGBT等功率半导体业务的子公司，，
，肩负着 “打造国际一流国产IGBT”的圣一欣梦想与使命
。。。项目历时近4个月喜封金顶，，
，，标志着圣一欣亚太半导体新建年产IGBT功率器件进入了又一个里程碑式的新阶段
，
，努力打造具备国际一流水平的国产IGBT芯片，，，，让圣一欣实现国际领先的中国“芯”梦想更进一步
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